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Details, datasheet, quote on part number:KOM2125FA
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| Part: | KOM2125FA |
| Category: | Optoelectronics => Photosensors => Photodiodes => SMT PIN Photodiodes |
| Description: | 2-Chip Pin Photodiode, Daylight Filter, SMT |
| Company: | Osram Opto Semiconductors |
| Datasheet: | Download KOM2125FA datasheet File size : 197 kB |
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Datasheet text preview:
2fach-Silizium-PIN Fotodiode in SMT 2-Chip Silicon PIN Photodiode in SMT KOM 2125 KOM 2125 FA
KO M 2125
KO M 2125 FA
Wesentliche Merkmale · Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm und bei 880 nm (KOM 2125 FA) · Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) · geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten · SMT-fähig Anwendungen · · · · Nachlaufsteuerungen Kantenführung Industrieelektronik ,,Messen/Steuern/Regeln" Bestellnummer Ordering Code Q62702-K0047 Q62702-P5313
Features · Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm and of 880 nm (KOM 2125 FA) · Short switching time (typ. 25 ns) · Suitable for vapor-phase and IR-reflow soldering · Suitable for SMT Applications · · · · Follow-up controls Edge drives Industrial electronics For control and drive circuits
Typ Type KOM 2125 KOM 2125 FA
2001-02-21
1
KOM 2125, KOM 2125 FA
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (TA = 25 °C) Bezeichnung Parameter Fotostrom Photocurrent VR = 5 V, Normlicht/standard light A T = 2856 K, Ev = 1000 Ix VR = 5 V, = 870 nm,Ee = 1mW/cm2 Symbol Symbol KOM 2125 Wert Value KOM 2125 FA Einheit U nit Symbol Symbol Wert Value 40 ... + 80 60 150 Einheit U nit °C V mW
Top; Tstg VR Ptot
Diode A Diode B Diode A Diode B
IP IP
S max
40 (> 30) 100 (> 75) 850 400 ... 1100
26 (> 20) 70 (> 50) 900 750 ... 1100
µA µA nm nm
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Diode A Diode B Diode A Diode B
A
4 10 2×2 2×5 0.3 ± 60 5 ( 30) 10 ( 30)
4 10 2×2 2×5 0.3 ± 60 5 ( 30) 10 ( 30)
mm2
L×B L×W H
mm × mm mm × mm mm Grad deg. nA
Abstand Chipoberfläche zu Vergußoberfläche Distance chip front to case seal Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Diode A Diode B
IR
2001-02-21
2
KOM 2125, KOM 2125 FA
Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (TA = 25 °C) (cont'd) Bezeichnung Parameter Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A Ee = 1 mW/cm2, = 850 nm Kurzschlussstrom Short-circuit current Normlicht/standard light A T = 2856 K, Ev = 1000 Ix = 870 nm, Ee = 1 mW/cm2 Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time RL = 50 ; VR = 5 V; = 850 nm; IP = 800 µA Symbol Symbol KOM 2125 Wert Value KOM 2125 FA Einheit U nit
VO VO
350 (> 300)
350 (> 300)
mV mV
Diode A Diode B Diode A Diode B Diode A Diode B
IS C IS C t r, t f
38 95 18 25
24 66 18 25
µA µA ns
Durchlassspannung, IF = 100 mA; E = 0 Forward voltage Kapazität Capacitance VR = 0 V; f = 1 MHz; E = 0 Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von IP Temperature coefficient of IP Normlicht/standard light A = 850 nm Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit Diode A Diode B Diode A Diode B Diode A Diode B
VF C0
1.0 40 100 2.6
1 .0 40 100 2.6
V pF
TCV
mV/K
TCI
0.18 6.4 × 10 14 9.1 × 10 14 3.1 × 1012 3.5 × 1012
0.2 6.4 × 10 14 9.1 × 10 14 3.1 × 1012 3.5 × 1012
%/K
NEP
W ----------Hz cm × Hz ------------------------W
D*
2001-02-21
3
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