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Details, datasheet, quote on part number:KOM2057L
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| Part: | KOM2057L |
| Category: | Optoelectronics => Photosensors => Photodiodes |
| Description: | 3fach-silizium-fotodiodenzeile 3-chip Silicon Photodiode Array |
| Company: | Siemens (acquired by Infineon Technologies Corporation) |
| Datasheet: | Download KOM2057L datasheet File size : 186 kB |
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Datasheet text preview:
KOM 2057 L
3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silicon Photodiode Array
KOM 2057 L
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 14 ns) q DIL-Plastikbauform Anwendungen
q q q q q
400 nm to 1100 nm
q Short switching time (typ. 14 ns) q DIL plastic package
Applications
q q q q q
Nachlaufsteuerungen Kantenführung Positionierung Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln"
Follow-up controls Edge drives Positioning Industrial electronics For control and drive circuits
Typ Type KOM 2057 L
Bestellnummer Ordering Code Q62702-K8
Gehäuse Package klares Epoxy-Gießharz, Lötspieße im 7,62-mm-Raster (3/10"), Kathodenkennzeichnung: Nase am Lötspieß transparent epoxy resin, solder leads in 7.62 mm spacing (3/10"), cathode marking: projection at solder lead
feo06429
KOM 2057 L
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t = 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t = 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value 40 ... + 80 230 Einheit Unit °C °C
Top; Tstg TS
VR Ptot
32 150
V mW
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, 2856 K) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, 2856 K) per single diode Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity, VR = 5 V Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfinlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Symbol Symbol Wert Value 80 ( 50) 880 400 ... 1100 Einheit Unit nA/Ix nm nm
S
S max
A L×B L×W H
7 2.65 × 2.65
mm2 mm x mm
0.4 ... 0.6
mm
± 60 2 ( 30)
Grad deg. nA
IR
KOM 2057 L
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, 2856 K) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, 2856 K) per single diode Bezeichnung Description Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity Maximale Abweichung der Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert Max. deviation of the system spectral sensitivity from the average value Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time RL = 50 , VR = 10 V; = 850 nm; IP = 800 µA Durchlaßspannung, IF = 100 mA; E = 0 Forward voltage Kapazität Capacitance VR = 0 V; f = 1 MHz; E = 0 Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von IP Temperature coefficient of IP Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 10 V, = 850 nm Detection limit Symbol Symbol Wert Value 0.62 ± 10 Einheit Unit A/W %
S
S
0.90 365 ( 300) 80 14
Electrons Photon mV µA ns
VO ISC tr, tf
VF C0
1.3 72
V pF
TCV TCI NEP
2.6 0.18 4.1 × 1014
mV/K %/K W Hz
D*
6.6 × 1012
cm · Hz W
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