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Details, datasheet, quote on part number:KOM2100B
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| Part: | KOM2100B |
| Category: | Optoelectronics => Photosensors => Photodiodes => PIN Photodiodes |
| Description: | 6fach-silizium-pin-fotodiodenarray 6-chip Silicon Pin Photodiode Array |
| Company: | Siemens (acquired by Infineon Technologies Corporation) |
| Datasheet: | Download KOM2100B datasheet File size : 244 kB |
| Request For quote: | Find where to buy KOM2100B
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Datasheet text preview:
KOM 2100 B KOM 2100 BF
6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon PIN Photodiode Array
KOM 2100 B KOM 2100 BF
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
q q q q
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (KOM 2100 B) und bei 880 nm (KOM 2100 BF) Kurze Schaltzeit (typ. 13 ns) Kathode = Chipunterseite Geeignet für Diodenbetrieb (mit Vorspannung) und Elementbetrieb SMT-fähig
q q q q
400 nm to 1100 nm (KOM 2100 B) and of 880 nm (KOM 2100 BF) Short switching time (typ. 13 ns) Cathode = back contact Available as photodiode with reverse voltage or photovoltaic cell Suitable for SMT
Anwendungen q Universell, z.B. Drehwinkelgeber
Applications q General-purpose, e.g. encoders
Typ Type KOM 2100 B KOM 2100 BF
Bestellnummer Ordering Code Q62702-K35 Q62702-K34
Gehäuse Package Platine mit SMT-Flanken, Abdeckrahmen mit klarem bzw. schwarzem Epoxyverguß pcb with SMT flanks, cover frame sealed with transparent or black epoxy
Semiconductor Group
469
10.95
feof6529
feo06529
KOM 2100 B KOM 2100 BF
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value 40 ... + 80 20 150 Einheit Unit °C V mW
TA; Tstg VR Ptot
Kennwerte (TA = 25 °C, = 950 nm) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 °C, = 950 nm) per single diode Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 0.5 mW/cm2 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Symbol Wert Value KOM 2100 B KOM 2100 BF 8.5 ( 6.6) µA 9 ( 7) Einheit Unit
S
S max
870 400 ... 1100
870 730 ... 1100
nm nm
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfinlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Verguoberfläche Distance chip front to case seal Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity
A L×B L×W H
2.5 1 × 2.5
2.5 1 × 2.5
mm2 mm x mm
0.4 ... 0.6
0.4 ... 0.6
mm
± 60 1 ( 10) 0.68
± 60 1 ( 10) 0.64
Grad deg. nA A/W
IR S
Semiconductor Group
470
KOM 2100 B KOM 2100 BF
Kennwerte (TA = 25 °C, = 950 nm) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 °C, = 950 nm) per single diode Bezeichnung Description Quantenausbeute Quantum yield Maximale Abweichung der Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert Max. deviation of the system spectral sensitivity from the average Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage Anstiegszeit/Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 , VR = 10 V; = 850 nm; IP = 800 µA Durchlaßspannung, IF = 100 mA; E = 0 Forward voltage Kapazität Capacitance VR = 0 V; f = 1 MHz; E = 0 Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von IP Temperature coefficient of IP Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit Symbol S Wert Value KOM 2100 B 0.9 ± 10 KOM 2100 BF 0.85 ± 10 Electrons Photon % Einheit Unit
ISC VO t r, t f
8.5 320 ( 250) 13
8 320 ( 250) 13
µA mV ns
VF C0
1.2 25
1.2 25
V pF
TCV TCI NEP
2.6 0.18 2.6 × 1014
2.6 0.18 2.8 × 1014
mV/K %/K W Hz cm · Hz W
D*
6.1 × 1012
5.7 × 1012
Semiconductor Group
471
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